Sistema Semiconductor InXGa1-XN en Fase Cúbica

Compéan García, Vicente Damián

dc.contributor.advisor	Vidal Borbolla, Miguel Ángel
dc.contributor.advisor	López Luna, Edgar
dc.contributor.author	Compéan García, Vicente Damián
dc.coverage.temporal	México. San Luis Potosí. San Luis Potosí	es_MX
dc.date.accessioned	2020-07-22T18:37:42Z
dc.date.available	2020-07-22T18:37:42Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.uri	https://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/5775
dc.description.abstract	La familia de semiconductores III-N es considerada una de las más importante después del Silicio, debido a que tiene una amplia gama de aplicaciones en dispositivos opto-electrónicos1, Si se compara con los sistemas III-arsenuros, las aleaciones ternarias III-N tienen un amplio ancho de banda y son usados en dispositivos opto electrónicos que cubren casi todo el rango espectral desde el ultravioleta (6 eV)2 hasta el infrarrojo (0.61 eV)3.	es_MX
dc.description.statementofresponsibility	Grupos de la comunidad	es_MX
dc.description.statementofresponsibility	Investigadores	es_MX
dc.description.statementofresponsibility	Estudiantes	es_MX
dc.language	Español	es_MX
dc.relation.ispartofseries	Facultad de Ciencias	es_MX
dc.rights	Acceso Abierto	es_MX
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0	es_MX
dc.subject	Semiconductores	es_MX
dc.subject.classification	CIENCIAS FÍSICO MATEMATICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA	es_MX
dc.subject.classification	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA	es_MX
dc.title	Sistema Semiconductor InXGa1-XN en Fase Cúbica	es_MX
dc.type	Tesis de doctorado	es_MX